规格
产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
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制造商: | Infineon | |
产品种类: | IGBT 模块 | |
发货限制: | 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 | |
RoHS: | N | |
配置: | Triple Common Emitter Common Gate | |
集电极—发射极电压 VCEO: | 3300 V | |
集电极—射极饱和电压: | V | |
在25 C的连续集电极电流: | 2000 A | |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA | |
Pd-功率耗散: | kW | |
封装 / 箱体: | IS5a ( 62 mm )-9 | |
小工作温度: | - 40 C | |
工作温度: | + 125 C | |
封装: | Tray | |
高度: | 38 mm | |
长度: | 190 mm | |
宽度: | 140 mm | |
商标: | Infineon Technologies | |
安装风格: | Chassis Mount | |
栅极/发射极电压: | 20 V | |
产品类型: | IGBT Modules | |
工厂包装数量: | 1 | |
子类别: | IGBTs | |
零件号别名: | FZ1500R33KF2CNOSA1 SP000100603 FZ1500R33KF2CNOSA1 |
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