技术参数
| 品牌： | AOS/万代 |
| 型号： | AON2408 |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | DFN2x2B-6L |
| 数量： | 30000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 18 周 |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-20V-8A（Ta）-2.8W（Ta）-6-DFN-EP（2x2） |
| 数据列表： | AON2408; |
| 标准包装： | 1 |
| 包装： | 剪切带（CT） |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | - |
| 其它名称： | 785-1394-1 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 8A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 14.5 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 7nC @ 4.5V |
| Vgs（值）： | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 782pF @ 10V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 2.8W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | 6-DFN-EP（2x2） |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。