回收IGBT模块，回收三社IGBT模块、IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。

　　回收IGBT模块、IGBT模块的制造工艺流程：

　　1、IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，而IGBT模块的市场需求趋势则是体积更小、效率更高、可靠性更高，实现这些技术就有待于IGBT模块封装技术的研发。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种，常见的模块封装技术有很多，各生产商的命名也不一样，如英飞凌的62mm封装、TP34、DP70等等。IGBT模块有3个连接部分，分别是硅片上的铝线键合点、硅片与陶瓷绝缘基板的焊接面、陶瓷绝缘基板与铜底板的焊接面。这些接点的损坏都是由于接触面两种材料的热膨胀系数相抵触而产生的应力和材料的热恶化造成的；

　　2、IGBT模块封装流程分别依次经历一次焊接，一次邦线，接着二次焊接，二次邦线，然后组装，上外壳，涂密封胶，等待固化，后灌硅凝胶，再进行老化筛选。这个工艺流程也不是死板的，主要看具体的模块，有的可能不需要多次焊接或邦线，有的则需要，有的可能还有其他工序。上面也只是一些主要的流程工艺，其他还有一些工序，如等离子处理，超声扫描，测试，打标等等。

　　回收IGBT模块、IGBT模块可以说是在工艺流程中占据非常重要的地位，它的应用非常广泛，几乎在变流系统中都要用到IGBT模块，比如说交流电机、变频器、开关电源等等，都要使用到它，而它能够具有这么强的应用性也是基于它自身有驱动功率小而饱和压降低的优点。

　　回收IGBT模块、从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：

　　1、IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型；

　　2、IGBT栅极结构：平面栅机构、Trench沟槽型结构；

　　3、硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶；

　　其发展趋势是：①降低损耗 ②降低生产成本；

　　总功耗＝ 通态损耗 (与饱和电压 VCEsat有关) 开关损耗 (Eoff Eon)。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。

　　在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制：

　　1、当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态；

　　2、当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态；

　　3、当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

　　1)若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态；

　　2)若栅-射极电压UGE＞Uth ，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P 区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。

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