产品简介
技术参数品牌：VISHAY型号：SI2305CDS-T1-GE3批号：封装：数量：1000QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI2305CDS-T1-GE3 |
| 批号： |
| 封装： |
| 数量： | 1000 |
| QQ： | |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 类型： | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 8V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 5.8A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 35 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 30nC @ 8V |
| Vgs（值）： | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 960pF @ 4V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 960mW（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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