产品简介
技术参数品牌:INFINEON型号:IPW60R099C6批号:封装:数量:1000QQ:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-247-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:37
详情介绍
技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IPW60R099C6 |
批号: |
封装: |
数量: | 1000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 37.9 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 90 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
Qg-栅极电荷: | 119 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 278 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | CoolMOS |
封装: | Tube |
高度: | 21.1 mm |
长度: | 16.13 mm |
系列: | CoolMOS C6 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5.21 mm |
商标: | Infineon Technologies |
下降时间: | 6 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 12 ns |
工厂包装数量: | 240 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 75 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
零件号别名: | IPW60R099C6FKSA1 SP000641908 IPW6R99C6XK IPW60R099C6FKSA1 |
单位重量: | 38 g |
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