技术参数
品牌: | Qorvo |
型号: | T2G6000528-Q3 |
封装: | NI-200 |
批次: | 22+ |
数量: | 68800 |
制造商: | Qorvo |
产品种类: | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
RoHS: | 是 |
晶体管类型: | HEMT |
技术: | GaN SiC |
增益: | 15 dB |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | - |
Vgs-栅源极击穿电压 : | - |
Id-连续漏极电流: | 650 mA |
输出功率: | 10 W |
漏极/栅极电压: | - |
Pd-功率耗散: | 12.5 W |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | NI-200 |
应用: | Military Radar, Professional and Military Radio Communications |
配置: | Single |
工作频率: | DC to 6 GHz |
系列: | T2G |
商标: | Qorvo |
正向跨导 - 最小值: | - |
开发套件: | T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5 |
湿度敏感性: | Yes |
产品类型: | RF JFET Transistors |
工厂包装数量: | 100 |
子类别: | Transistors |
零件号别名: | 1099997 |
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