产品简介
技术参数品牌:Infineon英飞凌型号:FD800R33KF2C封装:IGBT2批次:22+数量:68800制造商:Infineon产品种类:IGBT模块RoHS:N配置:Dual集电极—发射极电压VCEO:3300V集电极—射极饱和电压:3
详情介绍
![](https://img64.cn-america.cn/5eceadd4559dcfd255c7a6faa20533805b7eedb77ba13cc62b15cb167c317eca5d4738356a8b0899.jpg)
技术参数
品牌: | Infineon英飞凌 |
型号: | FD800R33KF2C |
封装: | IGBT2 |
批次: | 22+ |
数量: | 68800 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | IGBT 模块 |
RoHS: | N |
配置: | Dual |
集电极—发射极电压 VCEO: | 3300 V |
集电极—射极饱和电压: | 3.4 V |
在25 C的连续集电极电流: | 1300 A |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
Pd-功率耗散: | 9.6 kW |
封装 / 箱体: | IHM190 |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 125 C |
高度: | 38 mm |
长度: | 190 mm |
宽度: | 130 mm |
安装风格: | SMD/SMT |
栅极/发射极电压: | 20 V |
零件号别名: | FD800R33KF2CNOSA1 SP000100606 FD800R33KF2CNOSA1 |
- 上一篇: S40FC004C1B1I00000 电子元器件 SPASNI
- 下一篇: FS380R12A6T4LB 电子元器件 Infineon英
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。