产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:NTZD3155CT1G封装:SOT-363批次:2021+数量:16000类别:分立半导体产品晶体管-FET
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NTZD3155CT1G |
封装: | SOT-363 |
批次: | 2021+ |
数量: | 16000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
制造商: | onsemi |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 540mA,430mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 2.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 150pF @ 16V |
功率 - 值: | 250mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-563,SOT-666 |
- 上一篇: TPS92610QPWPRQ1 LED驱动IC TI/德州仪
- 下一篇: IPA50R280CEXKSA2 场效应管 infineon/
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。