技术参数
品牌: | infineon/英飞凌 |
型号: | BSP149H6327XTSA1 |
封装: | SOT-223 |
批次: | 21+ |
数量: | 500000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-4 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 200 V |
Id-连续漏极电流: | 660 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.8 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.1 V |
Qg-栅极电荷: | 11 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.8 W |
配置: | Single |
通道模式: | Depletion |
高度: | 1.6 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | BSP149 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 3.5 mm |
正向跨导 - 最小值: | 0.4 S |
下降时间: | 21 ns |
上升时间: | 3.4 ns |
典型关闭延迟时间: | 45 ns |
典型接通延迟时间: | 5.1 ns |
零件号别名: | BSP149 H6327 SP001058818 |
单位重量: | 112 mg |
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