造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
最小工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143-4
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single Full Biased
正向跨导 - 最小值: 0.03 S
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 3 V
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