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得捷（深圳）商贸有限公司

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BG3123R H6327 射频金属氧化物半导体场效应 MOSFET 晶体管 INFINEON
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  • 产品型号：BG3123R H6327
  • 品牌：
  • 产品类别：其他集成电路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 样本：
  • 更新时间：2023-11-22 07:52:57
  • 浏览次数：10
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  • 经营模式：其他
  • 商铺产品：1163条
  • 所在地区：
  • 注册时间：2023-11-21
  • 最近登录：2023-11-21
  • 联系人：程经理

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产品简介

详情介绍





制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
工作频率: 800 MHz
增益: 25 dB
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: BG3123
3000
子类别: MOSFETs
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 6 V
零件号别名: SP000753492 BG3123RH6327XTSA1
单位重量: 6 mg

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