技术参数
品牌: | VISHAY/威世 |
型号: | SI1869DH-T1-E3 |
封装: | SC-70-6(SOT-363) |
批次: | 22+ |
数量: | 10000 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-363-6 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 165 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1 W |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
零件号别名: | SI1869DH-E3 |
单位重量: | 28 mg |
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