| 技术参数 | |
|---|---|
| 薄膜 | SiO2+Ti+Pt(111) thin film on Si (P-type) |
| 膜层厚度 | SiO2=300nmTi=10nm Pt=150nm |
| 尺寸 | dia4"x0.5mm |
| 工作温度 | 连续工作温度 1000℃ 工作温度 1200℃ <1 hour |
| 抛光 | 单抛 |
| 表面粗糙度 | <5A |
暂无内容
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深圳市科晶智达科技有限公司
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|---|---|
| 薄膜 | SiO2+Ti+Pt(111) thin film on Si (P-type) |
| 膜层厚度 | SiO2=300nmTi=10nm Pt=150nm |
| 尺寸 | dia4"x0.5mm |
| 工作温度 | 连续工作温度 1000℃ 工作温度 1200℃ <1 hour |
| 抛光 | 单抛 |
| 表面粗糙度 | <5A |
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