| 技术参数 | |
|---|---|
| 生长方法 | HVPE法 |
| 尺寸 | dia 50.8mm +/- 0.25mm |
| 晶向 | c-axis (0001) +/- 1.0 o |
| 产品类型 | N-type, |
| 电阻 | 0.5 Ohm-cm |
| 正面 | (Ga Face) As-grown |
| 反面 | Sapphire as-received finish |
| 可用表面 | >90% （Edge Exclusion Area 1mm） |
暂无内容
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深圳市科晶智达科技有限公司
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技术参数生长方法HVPE法尺寸dia50
| 技术参数 | |
|---|---|
| 生长方法 | HVPE法 |
| 尺寸 | dia 50.8mm +/- 0.25mm |
| 晶向 | c-axis (0001) +/- 1.0 o |
| 产品类型 | N-type, |
| 电阻 | 0.5 Ohm-cm |
| 正面 | (Ga Face) As-grown |
| 反面 | Sapphire as-received finish |
| 可用表面 | >90% （Edge Exclusion Area 1mm） |
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