产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:MMBFJ177LT1G批号:20+封装:SOT-23-3数量:3000QQ:制造商:ONSemiconductorFET类型:P通道不同Vds时输入电容(Ciss)(值):11pF@10V(VGS)工作温度:-55°C~150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装/外壳:TO-236-3
详情介绍
![](https://img78.cn-america.cn/mt0024/5/20220107/)
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | MMBFJ177LT1G |
批号: | 20+ |
封装: | SOT-23-3 |
数量: | 3000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
FET 类型: | P 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 11pF @ 10V(VGS) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 30 V |
电阻 - RDS(On): | 300 Ohms |
功率 - 值: | 225 mW |
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | mA @ 15 V |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 800 mV @ 10 nA |
- 上一篇: NIKO-SEM/尼克森 集成电路、处理器、微
- 下一篇: CYPRESS/赛普拉斯 存储IC S34ML01G200B
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。