技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTMFS5C628NLT1G |
批号: | 21+ |
封装: | DFN-5 |
数量: | 12000 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DFN-5 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 150 A |
Rds On-漏源导通电阻: | mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 52 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 110 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 110 S |
下降时间: | 70 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 150 ns |
工厂包装数量: | 1500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 28 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
单位重量: | mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。