产品简介
技术参数品牌:NXP型号:BFU730F,115批号:21+封装:原包原装数量:10000QQ:制造商:NXP产品种类:射频(RF)双极晶体管RoHS:是晶体管类型:Bipolar技术:SiGe直流集电极/BaseGainhfeMin:205集电极—发射极电压VCEO:2
详情介绍
技术参数
品牌: | NXP |
型号: | BFU730F,115 |
批号: | 21+ |
封装: | 原包原装 |
数量: | 10000 |
QQ: | |
制造商: | NXP |
产品种类: | 射频(RF)双极晶体管 |
RoHS: | 是 |
晶体管类型: | Bipolar |
技术: | SiGe |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 205 |
集电极—发射极电压 VCEO: | V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 1 V |
集电极连续电流: | 5 mA |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT343F-4 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
集电极—基极电压 VCBO: | 10 V |
直流电流增益 hFE 值: | 555 |
高度: | mm |
长度: | mm |
工作频率: | 55 GHz |
类型: | RF Silicon Germanium |
宽度: | mm |
商标: | NXP Semiconductors |
Pd-功率耗散: | 197 mW |
产品类型: | RF Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | Transistors |
零件号别名: | |
单位重量: | mg |
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