主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。
二、工作方式
本机采用版—版对准双面同时曝光
三、主要构成
主要由高精度特制的翻版机构、双视场CCD显微显示系统、二台多点光源式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。
四、主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片的对准曝光。
2.结构*
该机为双面接触式光刻机，特制的翻版机构，能消除基片楔形误差，保障上、下二块掩膜版对基片上、下两面良好的接触，从而保障基片上、下两面的曝光质量。
3.操作简便
采用手动方式；特制的翻版机构
4.可靠性高
采用进口电磁阀、按钮、定时器；真空管路系统和精密的零件加工，使本机具有非常高的可靠性。
五、主要技术指标
1、曝光类型：单面对准双面曝光
2、曝光面积：≥φ100mm
3、曝光不均匀性：≤±4%
4、曝光强度：≥5mw/cm2
5、曝光分辨率：≤2μm
6、曝光模式：双面同时曝光
7、对准精度：上版与下版的对准精度≤5μm
8、对准范围：X:±5mm Y:±5mm
9、旋转范围：Q向旋转调节≥±5°
10、显微系统：双视场CCD系统，物镜0.7X～4.5X，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；
11、掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″
12、基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
13、基片厚度：≤5 mm
14、曝光灯功率：直流2×350W
15、曝光定时：0～999.9秒可调
16、电源：单相AC 220V 50Hz功耗≤1kW
17、洁净压缩空气压力：≥0.4Mpa
18、真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa
19、尺寸：900×700×1500 (L×W×H)mm；
20、重量：～150kg
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