苏州阜晶电子供应原装德国英飞凌模Infineon模块系列IGBT模块。型号：BSM150GB120DN2 电压1200v电流150A 频率30-40HZ模块：FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4,FF300R12KS4,FF400R12KS4,FF400R06KE3 BSM50GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB120DLC、BSM25GB120DN2、BSM35GB120DN2,BSM50GB100D、BSM50GB120DN2（DLC）、BSM75GB120DN2,BSM100GB120DN2K,BSM100GB120DN2（DLC）、BSM75GB170DN2、BSM100GB170DN2、BSM150GB170DN2（DLC）、BSM200GB170DLC,BSM200GB120DN2 BSM300GB120DN2（DLC）PIM模块（整流+七单元）BSM35GP60、BSM50GP60、BSM75GP60、BSM100GP60、BSM10GP120、BSM15GP120、BSM25GP120、BSM35GP120（120E）、BSM50GP120、BSM75GP120、BSM100GP120、FS50R12KE3、FS75R12KE3（G）FS100R12KE3、FP15R06KL4、FP15R12KE3G、FP20R06KL4/KE3、FP25R12KE3、FP40R12KE3G、FP40R12KE3、FP50R12KE3、FP75R12KE3、FP100R12KE3。标价电话垂询或联系为准，欢迎致电联系。IGBT模块简称绝缘栅双极型晶体管。

是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V-1200v-1700v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。