产品简介
技术参数品牌:Qorvo型号:QPD2796封装:NI-780批次:22+数量:68800制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RFJFET)晶体管RoHS:是晶体管类型:HEMT技术:GaN-on-SiC工作频率:2
详情介绍
技术参数
品牌: | Qorvo |
型号: | QPD2796 |
封装: | NI-780 |
批次: | 22+ |
数量: | 68800 |
制造商: | Qorvo |
产品种类: | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
RoHS: | 是 |
晶体管类型: | HEMT |
技术: | GaN-on-SiC |
工作频率: | 2.5 GHz to 2.7 GHz |
增益: | 20 dB |
晶体管极性: | N-Channel |
输出功率: | 200 W |
最小工作温度: | - 40 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | NI400-2 |
应用: | Microcell Base Station, W-CDMA / LTE |
配置: | Single |
系列: | QPD2796 |
商标: | Qorvo |
湿度敏感性: | Yes |
产品类型: | RF JFET Transistors |
工厂包装数量: | 250 |
子类别: | Transistors |
零件号别名: | 1130963 |
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