技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NCP5181DR2G |
封装: | SOIC-8 |
批次: | 22+ |
数量: | 10000 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 集成电路(IC) |
产品族: | PMIC - 栅极驱动器 |
驱动配置: | 半桥 |
通道类型: | 独立式 |
驱动器数: | 2 |
栅极类型: | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电: | 10V ~ 20V |
逻辑电压 - VIL,VIH: | 0.8V,2.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): | 1.4A,2.2A |
输入类型: | 非反相 |
高压侧电压 - 值(自举): | 600V |
上升/下降时间(典型值): | 40ns,20ns |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。