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ST/意法半导体 场效应管 STF15N60M2-EP MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:STF15N60M2-EP
  • 品牌:
  • 产品类别:绝缘栅双极晶体管/IGBT
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-11-27 21:26:43
  • 浏览次数:10
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深圳市裕达通贸易有限公司

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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1012条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-11-27
  • 最近登录:2023-11-27
  • 联系人:郭烽杰
产品简介

详情介绍


技术参数

品牌:ST/意法半导体
型号:STF15N60M2-EP
批号:20/21+
封装:
数量:11559
QQ:
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:11 A
Rds On-漏源导通电阻:378 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:17 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
系列:STF15N60M2-EP
下降时间:15 ns
上升时间:10 ns
典型关闭延迟时间:40 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:2.300 g
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