技术参数
品牌: | TOSHIBA/东芝 |
型号: | TTC5200(Q) |
批号: | 20/21+ |
封装: | |
数量: | 10518 |
QQ: | |
制造商: | Toshiba |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | 2-21F1A-3 |
晶体管极性: | NPN |
配置: | Single |
集电极—发射极电压 VCEO: | 230 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 230 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
集电极—射极饱和电压: | 3 V |
Pd-功率耗散: | 150 W |
增益带宽产品fT: | 30 MHz |
工作温度: | + 150 C |
系列: | TTC5200 |
封装: | Tray |
直流电流增益 hFE 值: | 160 |
技术: | Si |
商标: | Toshiba |
集电极连续电流: | 15 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 80 |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 100 |
子类别: | Transistors |
单位重量: | 9.750 g |
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