技术参数
品牌: | ST/意法 |
型号: | VND5N07TR-E |
批号: | 21+ |
封装: | TO252-CN |
数量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Id-连续漏极电流: | 5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 200 mOhms |
Qg-栅极电荷: | 18 nC |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 60 W |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
配置: | Single |
系列: | VND5N07-E |
晶体管类型: | 1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET |
正向跨导 - 最小值: | 4 S |
下降时间: | 40 ns, 1100 ns |
湿度敏感性: | Yes |
上升时间: | 60 ns, 400 ns |
典型关闭延迟时间: | 150 ns, 3900 ns |
典型接通延迟时间: | 50 ns, 150 ns |
单位重量: | 4 g |
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