技术参数
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | CSD87588N |
批号: | 1640+ |
封装: | PTAB-5 |
数量: | 18288 |
QQ: | |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PTAB-5 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 25 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 10.4 mOhms, 3.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.9 V |
Qg-栅极电荷: | 2.8 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 6 W |
配置: | Dual |
高度: | 0.48 mm |
长度: | 5 mm |
系列: | CSD87588N |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
宽度: | 2.5 mm |
正向跨导 - 最小值: | 93 S |
下降时间: | 6.3 ns |
上升时间: | 36.7 ns |
典型关闭延迟时间: | 20.1 ns |
典型接通延迟时间: | 12.1 ns |
单位重量: | 54.600 mg |
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