产品简介
技术参数品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FGL60N100BNTDTU批号：21+封装：数量：8000QQ：制造商：ONSemiconductor产品种类：IGBT晶体管RoHS：是技术：Si封装/箱体：TO-264-3安装风格：ThroughHole配置：Single集电极—发射极电压VCEO：1000V集电极—射极饱和电压：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 |
| 型号： | FGL60N100BNTDTU |
| 批号： | 21+ |
| 封装： |
| 数量： | 8000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 封装 / 箱体： | TO-264-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 1000 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.5 V |
| 栅极/发射极电压： | 25 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 60 A |
| Pd-功率耗散： | 180 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| 系列： | FGL60N100BNTD |
| 封装： | Tube |
| 集电极连续电流 Ic： | 60 A |
| 高度： | 26 mm |
| 长度： | 20 mm |
| 宽度： | 5 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 集电极连续电流： | 60 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | +/- 500 nA |
| 产品类型： | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量： | 375 |
| 子类别： | IGBTs |
| 零件号别名： | FGL60N100BNTDTU_NL |
| 单位重量： | 6.756 g |
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