产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:DMP3017SFGQ-7批号:2123封装:QFN-8数量:20994QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PowerDI3333-8通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:11
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | DMP3017SFGQ-7 |
批号: | 2123 |
封装: | QFN-8 |
数量: | 20994 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerDI3333-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 11.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 18 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 41 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 940 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
系列: | DMP3017 |
正向跨导 - 最小值: | 24 S |
下降时间: | 36.8 ns |
上升时间: | 15.4 ns |
典型关闭延迟时间: | 45.6 ns |
典型接通延迟时间: | 7.5 ns |
单位重量: | 72 mg |
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