产品简介
FETFeature-Vgs(th)(Max)@Id2.1V@1mA包装-FET类型N沟道不同Id时的Vgs(th)(值)2.1V@1mAOperatingTemperature-55°C~175°C(TJ)封装/外壳SC-100
详情介绍
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | @ 1mA |
包装 | - |
FET 类型 | N 沟道 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | @ 1mA |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
零件状态 | 在售 |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 5V |
功率耗散(值) | 167W(Tc) |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 15A, 10V |
Part Status | Active |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) | 39nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs(值) | ±10V |
FET 功能 | - |
Vgs (Max) | ±10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 56A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) | 5V |
FET Type | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5085pF @ 25V |
漏源电压(Vdss) | 100V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) | 5085pF @ 25V |
Mounting Type | Surface Mount |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) | 18 毫欧 @ 15A,10V |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
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