产品简介
FETFeature-Vgs(th)(Max)@Id4V@90µAPartStatusActiveFET类型N沟道不同Id时的Vgs（th）（值）4V@90µAOperatingTemperature-55°C~150°C(TJ)封装/外壳8-PowerTDFNPackage/Case8-PowerTDFN零件状态在售驱动电压（RdsOn
详情介绍
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Part Status | Active |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 4V @ 90µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| 零件状态 | 在售 |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 32 毫欧 @ 36A，10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| 功率耗散（值） | 125W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 36A, 10V |
| 包装 | - |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Vgs（值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） | 29nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 36A（Tc） |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） | 2350pF @ 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
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