属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 60A
功率(Pd) 65W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 13mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250μA
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属性参数值商品目录场效应管(MOSFET)类型N沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)60A功率(Pd)65W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13mΩ@10V,20A阈值电压(Vgs(th)@Id)2
属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 60A
功率(Pd) 65W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 13mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250μA
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