OTF-1200X-S-HPCVD 1200℃坩埚可移动型管式炉-深圳市科晶智达科技有限公司

OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩埚可炉管内移动（靠步进电机控制）的小型开启式管式炉。炉管直径为50mm,设备工作温度为1200℃。

性能指标和基本配置
高温炉部分	● 炉体设计为开启式，以便于更换炉管 ● 工作电源：208 - 240 VAC, 50/60Hz ● 功率为：2KW ● 工作温度：1200℃（<1hr) ● 连续工作温度：1100℃ ● 加热区长度：200mm ● 炉管：高纯石英管，尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)
温度控制系统	● 采用PID30段程序化控温，其控温精度为+/-1℃ ● 设有过热和断偶保护 ● 热电偶采用K型热电偶
真空密封	● 采用KF结构密封法兰，硅胶密封圈密封 ● 法兰上安装有一机械压力表 ● 右端法兰与一个真空不锈钢波纹管连接（不锈钢波纹管伸缩幅度为150mm) ● 真空度：10-2Torr(用机械泵抽） 10-5Torr(用分子泵抽）
坩埚移动机构&PLC控制	● 一个直径为1/4＂的欧米伽铠装热电偶（K型），通过法兰伸入到炉管中，并可随坩埚移动，可实时监测样品的实际温度。 ● 通过步进电机移动炉管内的坩埚（样品台），行程为100mm，移动精度为1mm ● 通过触摸屏设定坩埚一定的距离和目标位置，坩埚移动速度为180mm/min(更精确的移动速度，可与本公司联系定制，需额外收费） ● 可观察下图，了解坩埚与热电偶的安装方法
加热速率和冷却速率	可通过移动样品到已预加热的炉体中来得到的加热速率，也可将样品迅速移除高温的炉体，来得到的降温速率
加热速率和冷却速率	加热速率: 降温速率 10℃/sec (150℃ - 250℃); 10℃/sec (950℃ - 900℃); 7℃/sec (250℃ - 350℃); 7℃/sec (900℃ - 850℃); 4℃/sec (350℃ - 500℃); 4℃/sec (850℃ - 750℃); 3℃/sec (500℃ - 550℃); 2℃/sec (750℃ - 600℃); 2℃/sec (550℃ - 650℃); 1.5℃/sec (600℃ - 500℃); 1℃/sec (650℃ - 800℃); 1℃/sec (500℃ - 400℃); 0.5℃/sec (800℃ - 1000℃) 0.5℃/sec (400℃ - 300℃);
可选配件	● 可选购手动挡板阀 ● 防腐型数显真空计 ● 快速连接法兰，以方便于放置样品 ● 多路质量流量计控制的混气系统，用于CVD和DVD实验
石英气体喷嘴	可选配石英气体喷嘴，将反应气体与缓冲清洗气体分开通入，可有效减少副反应发生，实现CVD工艺，如局部控制前体浓度化学气相沉积工艺（ALC CVD）或单晶二维材料薄膜的生长工艺等。
尺寸
应用	● 此款设备可用于多种实验，以下列出了几种实验方法 RTE（快速热蒸发）：蒸发料放在坩埚中，放入到炉体中心，基片放在样品台上，样品台与热电偶相连接，然后将样品台移动到理想的位置（此位置温度是实验所需要的温度） HPCVD（混合物理化学沉积）：与RTE相似，但需配混气系统，对反应气体混合并控制流量，同时也需设定蒸发料的位置（确定蒸发料的蒸发温度）水平布里奇曼（Bridgman）法来长晶体：将样品和籽晶放入到坩埚中，并将坩埚放入到炉体中心位置，然后设定坩埚移动速度，慢慢移动坩埚。
应用注意事项	● 炉管内气压不可高于0.02MPa ● 由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全。 ● 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态。 ● 进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击。 ● 石英管的长时间使用温度＜1100℃ ● 对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等）
质量认证	所有电器元件（>24V）都通过UL / MET / CSA认证/ CE认证 ,若客户出认证费用，本公司保证单台设备通过德国TUV认证或CAS认证
保修期	一年保修，终身技术支持。特别提示： 1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。点击查看售后服务承诺书。
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