LT-2型单晶少子寿命测试仪
LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。
技术指标 :
测试单晶电阻率范围 | >2Ω.cm |
可测单晶少子寿命范围 | 5μS~7000μS |
配备光源类型 | 波长:μm;余辉<1 μS; |
高频振荡源 | 用石英谐振器,振荡频率:30MHz |
前置放大器 | 放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz |
仪器测量重复误差 | <±20% |
测量方式 | 采用对标准曲线读数方式 |
仪器消耗功率 | <25W |
仪器工作条件 | 温度: 10-35℃、 湿度 < 80%、使用电源:AC 220V,50Hz |
可测单晶尺寸 | 断面竖测:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm; |
配用示波器 | 频宽0—20MHz; |
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