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当前位置:深圳市华富利通科技有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> AON6411AOS/万代 场效应管 AON6411 MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN

AOS/万代 场效应管 AON6411 MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:AON6411
  • 品牌:
  • 产品类别:驱动器IC
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-04-29 17:42:48
  • 浏览次数:3
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:988条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2018-11-04
  • 最近登录:2023-04-29
  • 联系人:叶先生
产品简介

技术参数品牌:AOS/万代型号:AON6411批号:19+封装:原厂封装数量:8000QQ:对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET

详情介绍


技术参数

品牌:AOS/万代
型号:AON6411
批号:19+
封装:原厂封装
数量:8000
QQ:
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单
FET 类型:P 通道
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Ta),85A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On):,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):330nC @ 10V
Vgs(值):±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):10290pF @ 10V
功率耗散(值):(Ta),156W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
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