产品简介
技术参数品牌:Infineon型号:IRFR9N20DTRPBF批号:19+封装:原厂封装数量:8000QQ:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:200VId-连续漏极电流:9
详情介绍
技术参数
品牌: | Infineon |
型号: | IRFR9N20DTRPBF |
批号: | 19+ |
封装: | 原厂封装 |
数量: | 8000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 200 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 380 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Qg-栅极电荷: | 18 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 86 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
长度: | mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
下降时间: | ns |
上升时间: | 16 ns |
典型关闭延迟时间: | 13 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
零件号别名: | SP001552256 |
单位重量: | 4 g |
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