产品简介
技术参数品牌：AOS/万代型号：AO3407A批号：21+封装：NA数量：5000QQ：描述：MOSFETP-CH30V4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | AOS/万代 |
| 型号： | AO3407A |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | NA |
| 数量： | 5000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | 表面贴装型-P-通道-30V-4.3A（Ta）-1.4W（Ta）-SOT-23-3L |
| 数据列表： | AO3407A; |
| 标准包装： | SOT23 Pkg Drawing; |
| 包装： | 3,000 |
| 零件状态： | 标准卷带 |
| 类别： | 不適用於新設計 |
| 产品族： | 分立半导体产品 |
| 系列： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 其它名称： | - |
| FET 类型： | P 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 4.3A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： | 48 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 16nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： | 830pF @ 15V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 1.4W（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | SOT-23-3L |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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