产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STP110N8F6批号:21+封装:NA数量:5000QQ:制造商:STMicroelectronics系列:STripFET™F6FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):110A(Tc)驱动电压(RdsOn
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STP110N8F6 |
批号: | 21+ |
封装: | NA |
数量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
系列: | STripFET™ F6 |
FET 类型: | N 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 110A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 6.5 毫欧 @ 55A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4.5V @ 250µA |
Vgs(值): | ±20V |
功率耗散(值): | 200W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
漏源电压(Vdss): | 80 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 150 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 9130 pF @ 40 V |
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