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当前位置:深圳市创芯物联科技有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> STP110N8F6ST/意法半导体 场效应管 STP110N8F6 通孔 N 通道 80 V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220

ST/意法半导体 场效应管 STP110N8F6 通孔 N 通道 80 V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:STP110N8F6
  • 品牌:
  • 产品类别:双极晶体管/BJT
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-11-30 20:47:06
  • 浏览次数:12
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1043条
  • 所在地区:
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  • 最近登录:2023-11-30
  • 联系人:杜小姐
产品简介

技术参数品牌:ST/意法半导体型号:STP110N8F6批号:21+封装:NA数量:5000QQ:制造商:STMicroelectronics系列:STripFET™F6FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):110A(Tc)驱动电压(RdsOn

详情介绍


技术参数

品牌:ST/意法半导体
型号:STP110N8F6
批号:21+
封装:NA
数量:5000
QQ:
制造商:STMicroelectronics
系列:STripFET™ F6
FET 类型:N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):6.5 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值):4.5V @ 250µA
Vgs(值):±20V
功率耗散(值):200W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
漏源电压(Vdss):80 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):150 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):9130 pF @ 40 V
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