ASML公司的EUV光刻机独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。
据报道，SK海力士总裁李石熙日前表示，该公司计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV光刻机生产第四代(1a nm)DRAM产品。
李石熙表示M16工厂将于今年底建成，明年上半年开始引入制造设备，目前实验室正在进行准备工作，预计明年开始量产。
对内存来说，它跟CPU逻辑工艺一样面临着需要微缩的问题，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。
当然，上EUV工艺的代价也不是没有，EUV光刻机单价10亿元以上，产量还是不如传统DUV光刻机，意味着初期成本会比较高。
在SK海力士之前，三星也宣布使用EUV工艺生产内存，前不久发布的16Gb容量LPDDR5内存已经用上了，带宽速度为6400Mbps(等价6400MHz)，比现款12Gb LPDDR5-5500快了16%。
在16GB的总容量下，允许一秒内传输10部5GB高清电影(51.2GB)。
三大内存原厂中，只有美光对EUV工艺不太热心，不过随着前两大厂商上马EUV工艺，美光后续的想法或许也会改变了。
原标题：用上EUV光刻机，SK海力士宣布明年量产第四代内存
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