2025年11月12日 09:46:34 来源：浙江米勒洁净设备科技有限公司 >> 进入该公司展台 阅读量：7
| 序号 | 组份气体 | 稀释气体 |
| 1 2 3 4% D5 | 硅烷（SiH4） 氯硅烷（SiCl4） 二氯二氢硅（SiH2Cl2）( b 乙硅烷（Si2H6） | 氦、氩、氢、氮 氦、氩、氢、氮5 X- 氦、氩、氢、氮 {( k 氦、氩、氢、氮 |
| 膜的种类 | 混合气组成8 T! r. M1 /! o! ]4 W! | 生成方法3 W0 C! y2 |
| 半导体膜+ 绝缘膜" C 导体膜2 w | 硅烷（SiH4）+氢/ s: v% u# d" f$ 二氯二氢硅（SiH2Cl2）+氢7 ]4 ?0 氯硅烷（SiCl4）+氢 硅烷（SiH4）+甲烷（CH4） 硅烷（SiH4）+氧" U6 H: b7 v. W) 硅烷（SiH4）+氧+磷烷（PH3）% ~. 硅烷（SiH4）+氧+（B2H6） 硅烷（SiH4）+（N2O）+磷烷 六氟化钨（WF6）+氢1 Q0 Z7 ^. g1 六氯化钼（MoCl6）+氢 | CVD CVD! d( s4 |: |] CVD 离子注入CVD CVD CVD' k9 I* m$ @, j CVD 离子注入CVD$ k2 CVD* D ~! }! z, CVD" M; p7 /6 R/ u z |
| 类型 | 组份气 | 稀释气7 | 备注 |
| 硼化合物 磷化合物 砷化合物 | （B2H6）、三氯化硼（BCl3）、溴化硼（BBr3） 磷烷（PH3）、氯化磷（PCl3）、溴化磷（PBr3） 砷烷（AsH3）、（AsCl3） | 氦、氩、氢 氦、氩、氢 氦、氩、氢3 |
| 材质 | 蚀刻气体5 U U x: M @6 b: m |
| 铝（Al） 铬（Cr） 钼（Mo） 铂（Pt）8 聚硅 硅（Si） 钨（W） l$ | 氯硅烷（SiCl4）+氩、（CCl4）+（氩、氦） （CCl4）+氧、（CCl4）+空气 二氟二氯化碳（CCl2F2）+氧、四氟化碳（CF4）+氧% n4 @ 三氟三氯乙烷（C2Cl3F3）+氧、四氟化碳（CF4）+氧 四氟化碳（CF4）+氧、乙烷（C2H6）+氯" 四氟化碳（CF4）+氧8 f, G7 I/ G2 N9 q 四氟化碳（CF4）+氧 |
| 序号( | 组份气. [: /9 z! | 稀释气' r$ q2 | 组份气含量范围0 Z( U; |
| 1 25 3 48 5$ 67 77 8 92 10 | （HCl） 硒化氢（H2Se） 锗烷（GeH4） 磷烷（PH3） 砷烷（As2H3）0 Q; }（B2H6）) F 硅烷（SiH4）# s3 二乙基碲（C2H5）2Te 氯（Cl2） 一氧化碳（CO） | 氧、氮!o 氩、氦、氢、氮6 氩、氦、氢、氮6氩、氦、氢、氮 氩、氦、氢、氮 氩、氦、氢、氮 氩、氦、氢、氮+氩、氦、氢、氮# 氮 六氟化硫( t: J3 f! u5 F* y | 1—10% 5—5000×10-6 1—5% 5—5000×10-6、0.5—15% 5—5000×10-6、0.5—15% 5—5000×10-6、0.5—15% 5—150×10-67 28% 22% |
