正性光刻对掩膜版的要求主要包括以下几个方面：

基板材料：掩膜版的基板材料需要具有良好的透光性、稳定性以及表面平整度。石英是常用的基板材料，因为它具有较低的热膨胀系数，能够在温度变化时保持尺寸稳定。

遮光膜：遮光膜是掩膜版上的关键组成部分，用于定义图案的边界。硬质遮光膜材料通常包括铬、硅、硅化钼、氧化铁等。铬因其机械强度高且能形成细微图形，成为硬质遮光膜的主流材料。

分辨率：掩膜版需要具备足够的分辨率，以便能够准确地转移精细的图案到光刻胶上。分辨率受到光刻胶、曝光光源和掩膜版本身等多种因素的影响。

套刻精度：套刻精度是指不同层图案之间的对准精度。对于正性光刻而言，掩膜版上的图案需要与硅片上的已有图案精确对齐，以确保多层结构的正确构建。

关键尺寸（CD）控制：关键尺寸是指图案中最窄线宽或空间的尺寸。在正性光刻中，掩膜版需要能够精确控制这些关键尺寸，以满足设计规格的要求。

综上所述，正性光刻对掩膜版的要求涉及材料选择、图案定义、分辨率、套刻精度和关键尺寸控制等多个方面。这些要求共同确保了光刻过程的准确性、重复性和最终产品的质量。

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