通过几年的发展，粉体技术已形成多种制备加工工艺。而长期以来，由于缺乏有效的精密手段，表面涂层技术是改善粉末理化性能的重要手段。常规的液相涂覆或气相涂布方法不能准确地控制均匀性和厚度，制约了涂膜技术的进一步发展。气相膜沉积技术(ALD)是一种自限化气相沉积技术，它通过将目标反应分解为一些半反应，从而控制气相表面涂层的原子层厚。原子层沉积设备的涂层具有普通、无针孔、均匀性好的特点，对于复杂的表面界面和高纵深比样品有较好的沉积效果。

采用多种涂覆技术控制涂层厚度及粒度。

用原子层沉积设备的薄膜更为均匀。

  平板ALD技术自20世纪90年代在半导体工业中得到广泛应用以来，它的应用日趋成熟，形成了多种ALD技术。长久以来，采用ALD技术实现粉体覆盖是工业难题。超高比表面积粉末材料的使用决定了前驱体的使用将增大几何级，每个周期周期将较长。所以，前驱体注入系统需要实现较大数量的前驱体精确注入，这对空腔设计提出了更高的要求。原子层沉积设备的空腔设计主要是促进前驱体扩散，提高加工效率，所以腔设计尽量小，不利于粉末样品与前驱体接触。

  原子层沉积设备可用于纳米至微米的粉体，实现单原子层向纳米层的覆盖，是一种理想的覆盖方式。通过科研人员的不断努力，ALD覆盖粉体材料技术日趋成熟。现商用方案有：流化床，旋转床，振动床。利用原子层沉积技术实现高质量的粉体覆盖。

  采用原子层沉积设备进行粉化处理会产生优良的覆盖效果。